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第二章 单元测试

1、判断题：
p型硅掺杂V族元素，n型硅掺杂III族元素。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

2、判断题：
半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

3、判断题：
以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

4、单选题：
以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？
选项：
A:非晶体
B:单晶体
C:多晶体
D:结晶体
答案: 【结晶体】

5、判断题：
从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

6、判断题：
半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

7、判断题：
在半导体中的空穴流动就是电子流动。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

8、判断题：
通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

9、单选题：
温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
选项：
A:0
B:1/4
C:1/2
D:1
答案: 【1/2】

10、判断题：
通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】